报告详情

友谊校区:

时间：2024年11月25日 15：00

地点：国一会议室

长安校区:

时间：2024年11月27日 16：00

地点：教东A210报告厅

主讲人介绍

Prof. Oliver Fenwick

l 英国高等教育学会成员（FHEA）

l 英国物理学会会员（MIoP）

l 英国材料、矿物和矿业学会IOM3 成员 (MIMMM)

Oliver Fenwick 教授， 2002年获得剑桥大学耶稣学院实验和理论物理学士和硕士学位，2007年进入伦敦大学学院攻读博士学位。曾任英国宇航系统公司（BAE SYSTEMS）工程师，英国皇家学会大学研究员（2015），塑料电子材料博士培训中心管理团队成员(2018 - 2023) ，工程与材料科学学院产学研主任(2020)，亨利-罗伊斯研究所和物理研究所热电能源转换材料路线图的技术负责人(2020)，并于2024年受聘为伦敦玛丽女王大学电子材料学教授。他的早期工作集中在近场显微镜和共轭聚合物的热化学纳米光刻技术开发研究。随后，他在伦敦大学学院和斯特拉斯堡大学的科学研究所（I.S.I.S.）重点研究有机电子器件（OLED、晶体管等）的材料开发。近年来，他的研究重心集中在基于共轭聚合物锡卤化物钙钛矿的热电材料及器件的表征与优化。

报告内容

卤化物包晶作为热电材料

卤化物包晶是光伏和发光二极管的重要材料。据报道，少数卤化物类包晶石具有良好的热电性能，超低的热导率、良好的塞贝克系数并在加工和可持续性方面具备潜在优势。然而，人们对如何优化卤化物包晶材料的热电性并没有深入认识。本次讲座将介绍其超低热导率的来源，量化多晶薄膜中的洛伦兹数和热边界电阻，并讨论外掺杂和自掺杂作为优化热电功勋值 zT 的方法, 即使CsSnI3中zT的值达到0.14。同时，本讲座将详细研究锡氧化作用导致的CsSnI3自掺杂现象及通过修改沉积工艺或采用混合卤化物和混合金属化学计量学来提高性能和控制氧化率的策略。此外，还将讨论薄膜蒸镀、单晶生长和颗粒的固态合成方法，以及提高其稳定性和导电性的掺杂技术。

（文字：马晓萱；图片：齐玥；编辑：韩惠淳；审核：程茵）